GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXTN210P10T |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul jeden tranzistor -100V -210A SOT227B Ugs ±15V 830W - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | -100V |
| Proud drainu | -210A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 7.5mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | -800A |
| Ztrátový výkon | 830W |
| Technologie | TrenchP™ |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 740nC |
| Doba zotavení | 200ns |
| Napětí gate-source | ±15V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |