[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT

Modul IGBT dioda/tranzistor jednofázový diodový můstek 115W

INFINEON TECHNOLOGIES FB30R06W1E3BOMA1 - Moduly IGBT
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEFB30R06W1E3
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES

872.0 Kč (cena s DPH)
720.7 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 5+ ks Více
Cena/ks 680.40 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul IGBT dioda/tranzistor jednofázový diodový můstek 115W - Popis produktu

VýrobceINFINEON TECHNOLOGIES
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičedioda/tranzistor
Topologiejednofázový diodový můstek
Topologietermistor NTC
Topologietřífázový můstek IGBT
Max. závěrné napětí600V
Proud kolektoru30A
PouzdroAG-EASY1B-1
Elektrická montážPress-in PCB
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru60A
Ztrátový výkon115W
TechnologieEasyPIM™ 1B
Mechanická montážpřišroubováním