Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 1,2кВ 190А D3 Idm 550А 1,1кВт SiC

Dostupnost Prodej ukončen
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTMC120AM08CD3AG
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

(Цена с НДС) на заказ

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 1,2кВ 190А D3 Idm 550А 1,1кВт SiC - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток1,2кВ
Ток стока190А
КорпусD3
Топологияполумост MOSFET
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии10мОм
Ток стока в импульсном режиме550А
Рассеиваемая мощность1,1кВт
ТехнологияSiC
Механический монтажвинтами