Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC

MICROCHIP (MICROSEMI) MSCSM120AM08CT3AG - Tranzistorové moduly MOSFET
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEMSCSM120AM08CT3AG
Balení:
Minimální množství: 2
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

11 075.5 Kč (cena s DPH)
9 153.3 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 2+ ks Více
Cena/ks 9 153.31 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 2


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC - Popis produktu

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičedioda SiC/tranzistor
Napětí drain-source1.2kV
Proud drainu268A
PouzdroSP3F
Topologiepolomůstek MOSFET + paralelní diody
Topologietermistor NTC
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v sepnutém stavu7.8mΩ
Impulsní proud kolektoru675A
Ztrátový výkon1409W
TechnologieSiC
Mechanická montážpřišroubováním