[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT200DH120G - IGBT modules
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT200DH120G
Balení:
Minimální množství: 5
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

6 427.4 Kč (cena s DPH)
5 311.9 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 5+ ks Více
Cena/ks 5 311.86 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 5


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current200A
CaseSP6C
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current400A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew