Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

Moduly IGBT

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT


Modul IGBT dioda/tranzistor Urmax 650V Ic 10A F1.1

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD10PJX65F1S - Moduly IGBT
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEGD10PJX65F1S
Balení:
Minimální množství: 1
Centrální sklad i 19 ks
Výrobce: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

Množství

Množství 2+ ks Více
Cena/ks 575.93 Kč Cena dotazem

Poplatky za dopravu

736.3 Kč (cena s DPH)
608.5 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Modul IGBT dioda/tranzistor Urmax 650V Ic 10A F1.1 - Popis produktu

VýrobceSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičedioda/tranzistor
Topologie3-fázový usměrňovač
Topologieboost chopper
TopologieIGBT three-phase bridge OE output
Topologietermistor NTC
Max. závěrné napětí650V
Proud kolektoru10A
PouzdroF1.1
Elektrická montážPress-in PCB
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru20A
TechnologieTrench FS IGBT
Mechanická montážpřišroubováním