[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 1,2кВ Ic 150А SOT227B

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEIXDN75N120
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: IXYS

1 250.8 Kč (Цена с НДС)
1 033.7 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 10+ ks Более
Цена/шт. 984.18 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 1,2кВ Ic 150А SOT227B - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляIGBT
Конструкция диодаодиночный транзистор
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора150А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе190А
Рассеиваемая мощность660Вт
ТехнологияNPT
Механический монтажвинтами