Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT


Modul IGBT tranzistor/tranzistor můstek H Urmax 1,2kV 630W

IXYS MIEB101H1200EH - Moduly IGBT
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEMIEB101H1200EH
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

4 295.8 Kč (cena s DPH)
3 550.3 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul IGBT tranzistor/tranzistor můstek H Urmax 1,2kV 630W - Popis produktu

VýrobceIXYS
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičetranzistor/tranzistor
Topologiemůstek H
Max. závěrné napětí1.2kV
Proud kolektoru128A
PouzdroE3-Pack
Použitífotovoltaika
Použitímotory
Elektrická montážPress-in PCB
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru200A
Ztrátový výkon630W
TechnologieSonic FRD™
TechnologieSPT+
Mechanická montážpřišroubováním