[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT400A120G
Упаковка:
Minimální množství: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

9 653.7 Kč (Цена с НДС)
7 978.3 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. 7 978.30 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора400А
КорпусSP6C
Применениедвигатели
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе800А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами