GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы
| Dostupnost | Prodej ukončen |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEGD200HFX65C2S |
| Упаковка: | |
| Minimální množství: | 12 |
| Производитель: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 650В - Описание товара
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Топология | полумост IGBT |
| Обратное напряжение макс. | 650В |
| Ток коллектора | 200А |
| Корпус | C2 62mm |
| Электрический монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | коннекторы FASTON |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 400А |
| Технология | Trench FS IGBT |
| Механический монтаж | винтами |