Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT


Modul IGBT tranzistor/tranzistor třífázový můstek IGBT

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD150FFY120C6S - Moduly IGBT
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEGD150FFY120C6S
Balení:
Minimální množství: 10
Výrobce: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

(cena s DPH) na dotaz

Množství

Minimální množství: 10


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul IGBT tranzistor/tranzistor třífázový můstek IGBT - Popis produktu

VýrobceSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičetranzistor/tranzistor
Topologietermistor NTC
Topologietřífázový můstek IGBT
Max. závěrné napětí1200V
Proud kolektoru150A
PouzdroC6 62mm
Elektrická montážPress-in PCB
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru300A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanická montážpřišroubováním