Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

Moduly IGBT

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT


Modul IGBT tranzistor/tranzistor třífázový můstek IGBT

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD200FFY120C6S - Moduly IGBT
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEGD200FFY120C6S
Balení:
Minimální množství: 10
Dostupnost Jen na objednávku
Výrobce: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

Množství


Poplatky za dopravu

(cena s DPH) na dotaz

Modul IGBT tranzistor/tranzistor třífázový můstek IGBT - Popis produktu

VýrobceSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičetranzistor/tranzistor
Topologietermistor NTC
Topologietřífázový můstek IGBT
Max. závěrné napětí1200V
Proud kolektoru200A
PouzdroC6 62mm
Elektrická montážPress-in PCB
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru400A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanická montážpřišroubováním