Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul jeden tranzistor 1,2kV 23A SOT227B Ugs ±40V Idm 60A

IXYS IXFN26N120P - Tranzistorové moduly MOSFET
Centrální sklad i 7 ks
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXFN26N120P
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

969.9 Kč (cena s DPH)
801.5 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul jeden tranzistor 1,2kV 23A SOT227B Ugs ±40V Idm 60A - Popis produktu

VýrobceIXYS
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičejeden tranzistor
Napětí drain-source1.2kV
Proud drainu23A
PouzdroSOT227B
Elektrická montážpřišroubováním
Polarizaceunipolární
Odpor v sepnutém stavu500mΩ
Impulsní proud kolektoru60A
Ztrátový výkon695W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Druh kanáluobohacený
Náboj hradla255nC
Doba zotavení300ns
Napětí gate-source±40V
Mechanická montážpřišroubováním