Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul jeden tranzistor 200V 188A SOT227B Ugs ±30V Idm 600A

IXYS IXFN210N20P - Tranzistorové moduly MOSFET
Centrální sklad i 121 ks
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXFN210N20P
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

1 036.1 Kč (cena s DPH)
856.3 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 50+ ks Více
Cena/ks 806.29 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul jeden tranzistor 200V 188A SOT227B Ugs ±30V Idm 600A - Popis produktu

VýrobceIXYS
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičejeden tranzistor
Napětí drain-source200V
Proud drainu188A
PouzdroSOT227B
Elektrická montážpřišroubováním
Polarizaceunipolární
Odpor v sepnutém stavu10.5mΩ
Impulsní proud kolektoru600A
Ztrátový výkon1070W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Druh kanáluobohacený
Náboj hradla255nC
Doba zotavení200ns
Napětí gate-source±30V
Mechanická montážpřišroubováním