GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Centrální sklad i | 7 ks |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXFN210N30X3 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul jeden tranzistor 300V 210A SOT227B Ugs ±20V Idm 650A - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | 300V |
| Proud drainu | 210A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 4.6mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 650A |
| Ztrátový výkon | 695W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | X3-Class |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 375nC |
| Doba zotavení | 190ns |
| Napětí gate-source | ±20V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |