RENESAS R1LV0816ASB-5SI#B0 paměť SRAM - Popis produktu
Low Power SRAM, série R1LV, Renesas ElectronicsSérie R1LV jsou nízkonapěťové statické opečační paměti vhodné pro použití na místech, kde je potřeba jednoduché rozhraní a důležitými prvky designu aplikace jsou napájení baterií a záložní baterie.Snadné napájení od 2,7 V do 3,6 VMalý standby proudŽádné hodiny, není třeba obnovováníVšechny vstupy a výstupy kompatibilní s TTLVýstupy o třech stavech: možnost OR-tieVelikost paměti8MbitOrganizace512k slov x 16 bitůPočet slov512KPočet bitů na slovo16bitMaximální čas náhodného přístupu55nsNízký výkonAnoTyp časováníAsynchronníTyp montážeSMDProvozní napájecí napětí2.4 .. 3.6 V