- Baterie a akumulátory
- Napájecí zdroje
- Kabely a konektory
- Solární technika
- Redukce a konvertory
- Nářadí, nástroje
- Zesilovače GSM
- Bezpečnostní technika
- Mobilní příslušenství
- Příslušenství počítačů
-
Elektronické součástky
- Rezistory
- Kondenzátory
- Indukčnosti-Tlumivky
- Komponenty pro výrobu cívek
- Krystaly,Oscilátory,Rezonátory
- Frekvenční filtry
- Kolíčky,Očka,dutinky
- Pojistky, Přepěťové ochrany
- Transformátory
- Diody, Usměrňovací můstky
- Tranzistory
- Tyristory, Triaky, Diaky
- Integrované obvody
- Senzory neelektrických veličin
- Optosoučástky
- Displeje, Touchscreeny
- Akustické měniče, Reproduktory
- Ventilátory
- Chladiče, Peltierovy články
- Motory, Servomechanismy
- Relé, Stykače a Mag. Kontakty
- Mechanické spínací prvky
- Konektory, redukce
- Svorkovnice
- Vodiče a kabely
- Mech. konstrukční komponenty
- Konstrukční krabičky a boxy
- Účelové konstrukční moduly
- Programátory, Mazačky EPROM
- Diskrétní polovodičové moduly
- Příslušenství k polovodičům
- Generátory vysokého napětí
- Chladící a topné systémy
- Krab. pro popl. zaříz. a čidla
- Enkodery
- Komponenty EMI/EMC
- Jednodeskové počítače
- Příslušenství pro embed.
- Elektroinstalační materiál
- Mining
- Chemie DPS
- Hračky, stavebnice
- Měřící přístroje
- Osvětlovací technika
- Domov, Kancelář
- Ochranné pomůcky
- Mechanické prvky
- Automatizační technika
- Robotika
- Ostatní
- Výprodej
Nákupní košík
Přihlášení do obchodu
GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory
Transistor IGBT 1.2kV 50A 535W MAX247
STMicroelectronics STGYA50H120DF2 - THT IGBT transistors
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMESTGYA50H120DF2 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | STMicroelectronics |
Popis produktu
Transistor IGBT 1.2kV 50A 535W MAX247 - Popis produktu
| Manufacturer | STMicroelectronics |
|---|---|
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Collector current | 50A |
| Power dissipation | 535W |
| Case | MAX247 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 200A |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 210nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |