[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 1,7кВ 21А 357Вт TO268

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEIXBT42N170A
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: IXYS

737.1 Kč (Цена с НДС)
609.2 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 30+ ks Более
Цена/шт. 576.56 Kč 543.97 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 1,7кВ 21А 357Вт TO268 - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип транзистораIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Напряжение коллектор-эмиттер1,7кВ
Ток коллектора21А
Рассеиваемая мощность357Вт
КорпусTO268
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе265А
МонтажSMD
Заряд затвора188нC
Вид упаковкитуба
Время включения33нс
Время выключения308нс
Характеристики полупроводниковых элементоввысоковольтный