Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory


Transistor IGBT BiMOSFET™ 3.6kV 50A 660W TO247HV

IXYS IXBX50N360HV - THT IGBT transistors
Dostupnost Prodej ukončen
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXBX50N360HV
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

(cena s DPH) na dotaz

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Transistor IGBT BiMOSFET™ 3.6kV 50A 660W TO247HV - Popis produktu

ManufacturerIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3.6kV
Collector current50A
Power dissipation660W
CaseTO247HV
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current420A
MountingTHT
Gate charge210nC
Kind of packagetube
Turn-on time889ns
Turn-off time1.88µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage