[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 600В 120А 625Вт SMPD

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEMMIX1X200N60B3
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: IXYS

1 078.4 Kč (Цена с НДС)
891.3 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 20+ ks Более
Цена/шт. 841.34 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 600В 120А 625Вт SMPD - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип транзистораIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
ТехнологияGenX3™
ТехнологияXPT™
Напряжение коллектор-эмиттер600В
Ток коллектора120А
Рассеиваемая мощность625Вт
КорпусSMPD
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе1кА
МонтажSMD
Заряд затвора315нC
Вид упаковкитуба
Время включения140нс
Время выключения395нс