[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT диод/транзистор асимметричный мост,термистор NTC

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT50DH60T1G
Упаковка:
Minimální množství: 19
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

1 650.3 Kč (Цена с НДС)
1 363.9 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 19+ ks Более
Цена/шт. 1 363.87 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 19


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT диод/транзистор асимметричный мост,термистор NTC - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодадиод/транзистор
Топологияасимметричный мост
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.600В
Ток коллектора50А
КорпусSP1
Применениедвигатели
Электрический монтажPress-in PCB
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе100А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами