Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT


Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGL90A120T1G
Упаковка:
Minimální množství: 14
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

2 198.9 Kč (Цена с НДС)
1 817.3 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 14+ ks Более
Цена/шт. 1 817.29 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 14


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора90А
КорпусSP1
Применениедвигатели
Электрический монтажPress-in PCB
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе150А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами