[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,7кВ

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT200A170D3G
Упаковка:
Minimální množství: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

8 289.8 Kč (Цена с НДС)
6 851.1 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. 6 851.10 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,7кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Обратное напряжение макс.1,7кВ
Ток коллектора200А
КорпусD3
Применениедвигатели
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе400А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами