Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 100В 200А SOT227B Ugs ±30В 680Вт

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN200N10P
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: IXYS

770.5 Kč (Цена с НДС)
636.8 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 10+ ks 20+ ks Более
Цена/шт. 602.69 Kč 572.11 Kč 569.40 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 100В 200А SOT227B Ugs ±30В 680Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока200А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии7,5мОм
Ток стока в импульсном режиме400А
Рассеиваемая мощность680Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияPolar™
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора235нC
Время готовности150нс
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами