[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET

Модуль одиночный транзистор 650В 108А SOT227B Ugs ±40В 890Вт

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN120N65X2
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: IXYS

1 192.4 Kč (Цена с НДС)
985.5 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. 985.07 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 650В 108А SOT227B Ugs ±40В 890Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток650В
Ток стока108А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии24мОм
Ток стока в импульсном режиме240А
Рассеиваемая мощность890Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияX2-Class
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора240нC
Время готовности220нс
Напряжение затвор-исток±40В
Механический монтажвинтами