[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT tranzistor IXDN75N120

IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 150 A, Uce = 1200 V, Pd = 660 W, pouzdro SOT227
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: GM213-320
Balení:
Minimální množství: 1

1 062.9 Kč (cena s DPH)
878.5 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

IGBT tranzistor IXDN75N120 - Popis produktu

IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 150 A, Uce = 1200 V, Pd = 660 W, pouzdro SOT227 Parametry: Ic = 150 A Ic puls = 190 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 660 W, Ton/off = 100/650 ns, Pouzdro = SOT227