[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A

MICROCHIP (MICROSEMI) APTM120DA30CT1G - Tranzistorové moduly MOSFET
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTM120DA30CT1G
Balení:
Minimální množství: 12
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

2 518.3 Kč (cena s DPH)
2 081.2 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 12+ ks Více
Cena/ks 2 081.21 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 12


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A - Popis produktu

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičedioda SiC/tranzistor
Napětí drain-source1.2kV
Proud drainu23A
PouzdroSP1
Topologieboost chopper
Topologietermistor NTC
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v sepnutém stavu360mΩ
Impulsní proud kolektoru195A
Ztrátový výkon657W
TechnologiePOWER MOS 8®
TechnologieSiC
Napětí gate-source±30V
Mechanická montážpřišroubováním