GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPTM120A20DG |
| Упаковка: | |
| Minimální množství: | 4 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Модуль диод/транзистор 1,2кВ 37А SP6C Ugs ±30В Idm 200А - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1,2кВ |
| Ток стока | 37А |
| Корпус | SP6C |
| Топология | полумост MOSFET + последовательные диоды |
| Электрический монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | коннекторы FASTON |
| Сопротивление в открытом состоянии | 240мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | 200А |
| Рассеиваемая мощность | 1,25кВт |
| Технология | POWER MOS 7® |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Механический монтаж | винтами |