Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 1,2кВ 37А SP6C Ugs ±30В Idm 200А

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM120A20DG
Упаковка:
Minimální množství: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

8 096.6 Kč (Цена с НДС)
6 691.4 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. 6 691.40 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 1,2кВ 37А SP6C Ugs ±30В Idm 200А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток1,2кВ
Ток стока37А
КорпусSP6C
Топологияполумост MOSFET + последовательные диоды
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии240мОм
Ток стока в импульсном режиме200А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами