Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 100В 50А SP3 Ugs ±30В Press-in PCB

Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM10DSKM19T3G
Упаковка:
Minimální množství: 19
Dostupnost Jen na objednávku
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

Количество

Количество 19+ ks Более
Цена/шт. 1 188.55 Kč Цена по запросу

Стоимость доставки

1 438.1 Kč (Цена с НДС)
1 188.6 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Модуль диод/транзистор 100В 50А SP3 Ugs ±30В Press-in PCB - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока50А
КорпусSP3
Топологияbuck chopper x2
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии21мОм
Ток стока в импульсном режиме300А
Рассеиваемая мощность208Вт
ТехнологияPOWER MOS 5®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами