[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT диод/транзистор асимметричный мост,термистор NTC

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT100DH120TG
Упаковка:
Minimální množství: 8
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

3 891.6 Kč (Цена с НДС)
3 216.2 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 8+ ks Более
Цена/шт. 3 216.16 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 8


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT диод/транзистор асимметричный мост,термистор NTC - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодадиод/транзистор
Топологияасимметричный мост
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора100А
КорпусSP4
Электрический монтажконнекторы FASTON
Электрический монтажпайка
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе200А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами