[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 200А

Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT200H120G
Упаковка:
Minimální množství: 4
Dostupnost Jen na objednávku
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

Количество

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. 7 021.82 Kč Цена по запросу

Стоимость доставки

8 496.4 Kč (Цена с НДС)
7 021.8 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 200А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
ТопологияН мост
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора200А
КорпусSP6C
Применениедвигатели
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе400А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами