[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEGD800HFY120C3S
Упаковка:
Minimální množství: 8
Производитель: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

10 915.7 Kč (Цена с НДС)
9 021.3 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 8+ ks Более
Цена/шт. 9 021.26 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 8


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В - Описание товара

ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Обратное напряжение макс.1200В
Ток коллектора800А
КорпусC3 130mm
Электрический монтажвинтами
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе1600А
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Механический монтажвинтами