[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 650В

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGTQ100A65T1G
Упаковка:
Minimální množství: 15
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

2 093.8 Kč (Цена с НДС)
1 730.4 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 15+ ks Более
Цена/шт. 1 730.38 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 15


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 650В - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.650В
Ток коллектора60А
КорпусSP1
Применениедвигатели
Электрический монтажPress-in PCB
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе200А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами