Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 1,2кВ 20А SOT227B Ugs ±40В 595Вт

Centrální sklad i 7 ks
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN20N120P
Упаковка:
Minimální množství: 1
Производитель: IXYS

468.7 Kč (Цена с НДС)
387.4 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 3+ ks 10+ ks Более
Цена/шт. 369.45 Kč 368.56 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 1,2кВ 20А SOT227B Ugs ±40В 595Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток1,2кВ
Ток стока20А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии570мОм
Ток стока в импульсном режиме50А
Рассеиваемая мощность595Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияPolar™
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора193нC
Время готовности300нс
Напряжение затвор-исток±40В
Механический монтажвинтами