GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXFN200N10P |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul jeden tranzistor 100V 200A SOT227B Ugs ±30V Idm 400A - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | 100V |
| Proud drainu | 200A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 7.5mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 400A |
| Ztrátový výkon | 680W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | Polar™ |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 235nC |
| Doba zotavení | 150ns |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |