GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPTM120H140FT1G |
| Упаковка: | |
| Minimální množství: | 14 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Модуль транзистор/транзистор 1,2кВ 6А SP1 Ugs ±30В Idm 50А - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1,2кВ |
| Ток стока | 6А |
| Корпус | SP1 |
| Топология | Н мост |
| Топология | термистор NTC |
| Электрический монтаж | Press-in PCB |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1,68Ом |
| Ток стока в импульсном режиме | 50А |
| Рассеиваемая мощность | 208Вт |
| Технология | POWER MOS 8® |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Механический монтаж | винтами |