Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль транзистор/транзистор 1,2кВ 6А SP1 Ugs ±30В Idm 50А

Dostupnost Jen na objednávku
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM120H140FT1G
Упаковка:
Minimální množství: 14
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

2 278.9 Kč (Цена с НДС)
1 883.4 Kč Цена без НДС

Vyberte dopravu (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 14+ ks Более
Цена/шт. 1 883.36 Kč Цена по запросу

Количество

Minimální množství: 14


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль транзистор/транзистор 1,2кВ 6А SP1 Ugs ±30В Idm 50А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Напряжение сток-исток1,2кВ
Ток стока6А
КорпусSP1
ТопологияН мост
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии1,68Ом
Ток стока в импульсном режиме50А
Рассеиваемая мощность208Вт
ТехнологияPOWER MOS 8®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами