Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory


Transistor IGBT BiMOSFET™ 1.7kV 10A 140W TO268

IXYS IXBT10N170 - SMD IGBT transistors
Centrální sklad i 27 ks
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXBT10N170
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

251.6 Kč (cena s DPH)
207.9 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 2+ ks 5+ ks Více
Cena/ks 173.02 Kč 163.77 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Transistor IGBT BiMOSFET™ 1.7kV 10A 140W TO268 - Popis produktu

ManufacturerIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current10A
Power dissipation140W
CaseTO268
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current40A
MountingSMD
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Turn-on time63ns
Turn-off time1.8µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage