[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Transistor IGBT BiMOSFET™ 3kV 12A 160W TO247-3

IXYS IXBH12N300 - THT IGBT transistors
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXBH12N300
Balení:
Minimální množství: 300
Výrobce: IXYS

713.7 Kč (cena s DPH)
589.9 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 300+ ks Více
Cena/ks 589.86 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 300


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Transistor IGBT BiMOSFET™ 3kV 12A 160W TO247-3 - Popis produktu

ManufacturerIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
TechnologyFRED
Collector-emitter voltage3kV
Collector current12A
Power dissipation160W
CaseTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current100A
MountingTHT
Gate charge62nC
Kind of packagetube
Turn-on time460ns
Turn-off time705ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage