[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT

Modul IGBT tranzistor/tranzistor polomůstek IGBT Urmax 1200V

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD800HFY120C3S - Moduly IGBT
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEGD800HFY120C3S
Balení:
Minimální množství: 8
Výrobce: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

10 915.7 Kč (cena s DPH)
9 021.3 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 8+ ks Více
Cena/ks 9 021.26 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 8


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul IGBT tranzistor/tranzistor polomůstek IGBT Urmax 1200V - Popis produktu

VýrobceSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičetranzistor/tranzistor
Topologiepolomůstek IGBT
Max. závěrné napětí1200V
Proud kolektoru800A
PouzdroC3 130mm
Elektrická montážpřišroubováním
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru1600A
TechnologieAdvanced Trench FS IGBT
Mechanická montážpřišroubováním